一种掉电安全的Flash参数三取二存储方法

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一种掉电安全的Flash参数三取二存储方法
申请号:CN202510384646
申请日期:2025-03-28
公开号:CN120335718A
公开日期:2025-07-18
类型:发明专利
摘要
本发明提供了一种掉电安全的Flash参数三取二存储方法,包括:使用中间层隔离开底层的Flash操作,只提供接口供使用本方法读取或写入Flash数据的用户进行操作。在进行底层Flash的写操作时,在三个部分同时写入相同的数据,相同的数据之间的地址间隔即为每个部分扇区的总字节数。读取数据时,同时从三个部分读取数据,并进行三取二判定,读出最终数据。执行写文件操作时,若写入数据后不超过当前块,则直接写入;若超过当前块,则调用块表头查找模块找到写入位置所在的块,随后调用扩展模块在要写入位置插入新的头节点,最后进行提交操作更新存储元数据。执行读取文件操作时,对块头存储的表节点块指针进行遍历,寻找目标块位置。
技术关键词
存储方法 扇区 存储结构 键值 滑动窗口方法 目录 指针 判断写入数据 节点 物理 备份 扩展模块 数据存储 策略 中间层 算法 链表 表头 动态
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