基于量子结构半导体激光器自混频效应的片上传感器芯片及其制作方法

本公开提供了一种基于量子结构半导体激光器自混频效应的片上传感器芯片及其制作方法，应用于红外光学传感器领域，该片上传感器芯片包括：量子结构半导体激光器区，用于生成并发射第一激光信号，以及，接收由环形传感波导区传输的第二激光信号；环形传感波导区，用于对接收到的第一激光信号进行回路传输，将与被检物质接触后的第二激光信号重新注入量子结构半导体激光器区；在第二激光信号重新注入量子结构半导体激光器区的情况下，第二激光信号与原始的第一激光信号发生腔内自混频效应，基于自混频效应确定被检物质的目标信息。该片上传感器芯片通过标准半导体工艺集成，具有集成度高，结构简单，单片集成等优点。