一种两次曝光工艺制备方法

本发明公开了一种两次曝光工艺制备方法，该工艺制备方法包括以下步骤：S1：基片预处理：在基片表面涂覆光刻胶层并进行预烘，基片表面预置周期性校准标记阵列；S2：首次曝光：通过第一掩模版对光刻胶层进行第一次曝光；S3：动态对准补偿：将基片转移至二次曝光工位，通过多模态传感器实时采集基片形变数据和校准标记偏移量，结合初始坐标数据，利用动态补偿算法生成位移修正信号，补偿热漂移与机械振动引起的对准误差；S4：二次曝光；S5：显影与刻蚀；S6：后处理；本发明通过多模态传感器实时监测基片形变与偏移，结合卡尔曼滤波器与神经网络动态补偿算法，有效抑制热漂移、机械振动及环境扰动影响，使两次曝光图形叠加对准误差缩小。