一种超薄DFN或QFN封装结构及其制作方法

本发明公开一种超薄DFN或QFN封装结构及其制作方法，超薄DFN或QFN封装结构制作方法包括：在载板的表面粘贴掩膜；通过曝光显影在载板上表面显露出所需的图形；在经过曝光显影后的载板上成型出多个引脚；将掩膜去除；将晶圆做磨划处理，得到具有限位结构的芯片；将芯片贴装在载板上表面；将引线的两端分别与芯片和引脚焊接；在载板上方用塑封材料塑封形成包覆芯片、引脚、限位结构、引线的塑封体；将载板与塑封体分离，使引脚和芯片的下表面均露出于塑封体外；将去除载板后的塑封体进行切割处理，得到若干独立的DFN或QFN封装产品，本发明采用去除基岛的封装方式，使产品的整体厚度更薄，满足对超薄DFN或QFN封装结构的市场需求。