一种深紫外倒装LED芯片及其制备方法

本发明涉及一种深紫外倒装LED芯片及其制备方法，属于LED芯片制备技术领域。包括衬底、AIN缓冲层、N型AlGaN层、N型金属欧姆接触层、有源层、P型AlGaN层、P型GaN层、多个凸型结构、P型反射金属欧姆接触层、钝化层、第一Pad金属层、两个第二Pad金属层、第一金锡共晶层和两个第二金锡共晶层。通过在P型GaN层的正面间隔刻蚀多个凸型结构，并在多个凸型结构正面形成P型反射金属欧姆接触层，能够使P型反射金属欧姆接触层与P型GaN层呈一定的角度，增大P型反射金属欧姆接触层的反射面积，还能够使P型GaN层与P型反射金属欧姆接触层之间形成形成良好的欧姆接触，从而提高深紫外倒装LED芯片的出光效率。