一种发光二极管结构及其制造方法

本发明提供一种发光二极管结构，包括第一电极层、第一欧姆接触层、第一粗化层、第一限制层、MQW有源层、第二限制层、第二粗化层、DBR反射镜层、第二欧姆接触窗口层、全反射镜结构层、导电衬底、第二电极；其中，DBR反射镜层和第二欧姆接触窗口层包括开孔部，所述开孔部与第一电极层的第一电极的位置对准；第二粗化层在对应所述DBR反射镜层的开孔部的部分上设置有第二粗化区域。本发明在LED芯片结构中外延生长DBR反射镜层，通过图形化DBR反射镜层和局域粗化结构，结合芯片全反射镜结构，可以有效提高发光二极管光提取效率和出光亮度，简化了芯片的制作工艺流程。