一种改善AlGaInP红光Micro LED芯片光电性能的方法

本申请公开了一种改善AlGaInP红光Micro LED芯片光电性能的方法，包括如下步骤：S1，衬底预处理与缓冲层生长；S2，刻蚀阻挡层生长；S3,绝缘膜层制备与图形化；S4,n型GaN/InGaN欧姆接触层生长；S5,外延片结构生长：在欧姆接触层上依次外延生长多种功能层；S6，芯片工艺处理：对外延片进行一系列芯片工艺处理；本申请的n型GaN（InGaN）高掺杂浓度及低接触电阻率，使芯片串联电阻较传统方案降低30%‑50%，功耗同步下降；避免GaAs材料吸光及金属层遮光，结合微透镜阵列，光输出功率提升25%以上，光提取效率（LEE）提高30%‑50%；低电阻减少焦耳热，工作温度降低10‑15℃，缓解热致亮度衰减，延长器件寿命。