一种ESD防护器件及其制备方法

本发明公开了一种ESD防护器件及其制备方法，涉及半导体防护器件领域。所述器件自下至上依序包括：第一导电类型的衬底层、第二导电类型的第一外延层、第二导电类型的第二外延层、第二导电类型的第三外延层、第一导电类型的第一有源区和金属电极层，以及自第一有源区上表面的两侧纵向贯穿至衬底层平行设置有第一隔离槽与第二隔离槽作为隔离结构；其中，第二外延层为重掺杂层，且第一外延层的电阻率高于第二外延层，第三外延层的电阻率高于第二外延层。相较于现有技术，本发明可在一颗芯片上实现两颗不同电压二极管的集成，简化芯片封装，降低芯片成本。