一种波长可调谐的双模半导体激光器芯片及其制备方法

本发明公开了一种波长可调谐的双模半导体激光器芯片及其制备方法，属于半导体技术领域。该芯片包括激光器区、电隔离区、放大反馈区和两端镀膜区，其多层生长结构包含多种功能层，模式扩展波导层有特殊结构，欧姆接触层含特定电极布局，两端镀膜区采用1550nm的AR膜。制备方法包括形成各功能区，形成激光器区涉及全息曝光和干法刻蚀工艺形成光栅层。此发明基于InP半导体工艺平台，具有高集成度，省略中间相位区使双模输出更稳定；采用EBL刻蚀相移布拉格光栅与双端面AR镀膜，能抑制简并模式产生纯净微波信号；可通过调谐注入电流比实现双模同步或异步调谐，具备低功耗、高效率特点，适用于能效要求高的场景。