一种钙钛矿纳米柱光致发光Micro-LED器件及其制备方法

本发明公开了一种钙钛矿纳米柱光致发光Micro‑LED器件及其制备方法，所述光致发光Micro‑LED器由晶圆级蓝光Micro‑LED器件，以及设置于晶圆级蓝光Micro‑LED阵列器件上方的Micro‑LED颜色转化层组成，所述Micro‑LED颜色转化层，由下至上，包含刻蚀停止层，SiO2牺牲层，SiO2封装层B，所述SiO2牺牲层中，含有阵列化的纳米柱区域，任意一个纳米柱区域由纳米孔以及生长于纳米孔中的钙钛矿纳米柱组成，所述纳米孔的内壁表面有Al2O3层，本发明所提供的光致发光Micro‑LED器件，利用钙钛矿纳米柱极高的光致发光量子效率实现高效率的发光转换。