一种钙钛矿红外探测器结构、其制备方法及红外成像芯片

本申请提供了一种钙钛矿红外探测器结构、其制备方法及红外成像芯片，该探测器结构，包括：衬底、设置于衬底上的P型半导体层、设置于P型半导体层上的氧化铝层、设置于氧化铝层上的光敏钙钛矿层、设置于光敏钙钛矿层上的N型半导体层、设置于N型半导体层上的缓冲层以及设置于缓冲层上的背电极；所述光敏钙钛矿层的材料为FA0.7MA0.3Pb0.5Sn0.5I3，光学带隙<1.26eV；整个探测器结构采用特定的制备工艺进行，能够获得表面形貌较好、缺陷态密度较低、质量较好的钙钛矿薄膜，使得器件具有探测率高、响应速度快、光谱响应范围宽、工艺兼容性好、成像质量好等优异性能，适用于半导体光电材料与器件技术领域。