一种倒装发光二极管芯片及其制备方法

本发明涉及一种倒装发光二极管芯片及其制备方法，属于半导体器件技术领域，所述倒装发光二极管芯片，包括：p型电极层，设有中空区和凸出部；n型电极层，包括第一n型电极层和第二n型电极层，所述第一n型电极层位于所述中空区内，以备p型电极层将第一n型电极层包围；所述第二n型电极层围设在所述凸出部的外侧，以备第二n型电极半包围在p型电极层外侧。