一种等高电极的Micro-LED芯片及其制备方法和显示面板

本发明公开了一种等高电极的Micro‑LED芯片及其制备方法和显示面板，包括形成在衬底上的外延结构，以及电极结构；外延结构由下至上包括结合层、n型材料层、多量子阱有源层、电子阻挡层、p型材料层和透明导电层，外延结构中设置有直达n型材料层的n电极孔和直达p型材料层的p电极孔，n电极孔的底部截面为直径大于n电极孔深度的圆形；电极结构包括分别设置在n电极孔和p电极孔中的n电极和p电极，其中，n电极包括第一连接端和第一键合端，p电极包括第二连接端和第二键合端，第一键合端与第二键合端高度相同。本发明通过优化电极结构，提升了电极与半导体材料层的接触，提升Micro‑LED芯片的良率、电流的均匀性以及使用寿命。