复合电极结构、石墨模具、半导体封装结构

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复合电极结构、石墨模具、半导体封装结构
申请号:CN202421310474
申请日期:2024-06-07
公开号:CN223391596U
公开日期:2025-09-26
类型:实用新型专利
摘要
本申请涉及一种复合电极结构、石墨模具、半导体封装结构。复合电极结构,包括:第一合金层;电极层,位于第一合金层的一侧,电极层包括铜金刚石复合材料;第二合金层,位于电极层远离第一合金层的一侧,其中,第一合金层和电极层的热膨胀系数的差值、以及第二合金层和电极层的热膨胀系数的差值均小于阈值。本申请的复合电极结构导热性好,可靠性高。
技术关键词
复合电极结构 铜金刚石复合材料 石墨模具 半导体封装结构 钼铜合金板 腔室 模具本体 钨铜合金 改性材料 合金材料 隔板 封装芯片 法兰 通孔
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