半导体封装结构及其制备方法

本发明提供一种半导体封装结构及其制备方法，通过采用陶瓷封装芯板作为基础支撑，在其内部嵌入第一芯片，并在陶瓷封装芯板的相对两面形成至少一层增层，在靠近第一芯片的外增层内嵌入第二芯片，同时在第二芯片及外增层上方形成与第二芯片和增层电连接的上层布线结构，以及在远离第二芯片的外增层下方形成与增层电连接的下层布线结构，此外，通过在上层布线结构上形成金属柱，然后将第三芯片与金属柱键合连接，完成了多芯片的高密度集成和高可靠性互连，有效解决了高叠层数封装基板的翘曲变形和散热问题，显著提升了封装结构的导热性能和集成度，满足了现代半导体器件对高功率、高频率和高集成度的需求。