集成场效应晶体管及其制造方法

本申请公开了一种集成场效应晶体管及其制造方法，集成场效应晶体管包括外延层和本体层，本体层由外延层的第一表面延伸至外延层内，本体层包括本体结构区及设于本体结构区内的第二导电结构区、两个第一导电结构区和至少一个与外延层相连接的延伸结构区，两个第一导电结构区沿第一方向设于第二导电结构区的两侧，第二导电结构区环绕延伸结构区周侧设置，外延层的第一表面设置有肖特基接触层，肖特基接触层的至少部分覆盖于延伸结构区。本申请的集成场效应晶体管及其制造方法，能够平衡场效应晶体管器件的反偏导通压降和芯片成本，以符合电子器件的实际使用需求。