一种Micro-LED ISO垂直角刻蚀方法

本发明涉及Micro‑LED显示技术领域，公开了一种Micro‑LED ISO垂直角刻蚀方法，包括以下步骤：S1、外延层生长控制：提供蓝宝石衬底作为基板，在基板上生长外延层结构，同时通过PECV设备在基板上生长一定厚度的氧化硅作为保护层，S2、光刻图形化：选用正性光刻胶，通过匀胶机涂覆在保护层表面，之后再进行光刻与显影制作出ISO侧壁需要刻蚀的图形，S3、金属镀膜与图形化，S4、干法刻蚀外延，S5、去除保护层。通过湿法刻蚀或者干法刻蚀去除外延保护层得到角度趋近垂直的ISO侧壁外延，减少了Micro‑LED的发光面积损失，提高光的出射效率，以及为芯片的Pitch缩小提供条件，同时降低后续的激光剥离过程造成的芯片破裂，提高了芯片制造的成品率和稳定性。