岛状铟镓氮外延结构及其制备方法、Micro LED芯片

本发明提供了一种岛状铟镓氮外延结构及其制备方法、Micro LED芯片，岛状产生层在低温下生长，于应力预置层表面自发产生三维岛状生长，从而保证了后续多量子阱垒层继承岛状产生层形貌形成均匀的微米尺寸的岛状结构；微米级岛状生长有利于弛豫高In组分InGaN中的应变，提升高In组分的红黄光InGaN量子阱层的晶体质量。另外，由于多量子阱垒层的每个岛状结构中，InGaN层的厚度自每个岛状结构的底部沿侧壁向上至顶部逐渐增加，In组分含量自每个岛状结构的底部沿侧壁向上至顶部逐渐提高，形成了载流子横向扩散的势垒，从而减少了载流子向芯片边缘的扩散，减少了Micro‑LED中的侧壁效应。相对于选区外延技术来说，无需采用光刻图形化的工序，有效降低了制程难度。