一种化合物半导体激光器芯片的外延结构

本发明公开了一种化合物半导体激光器芯片的外延结构，从下至上依次包括衬底、下限制层、下波导层、有源层、上波导层、上限制层，所述上限制层上方具有布洛赫表面波增强层，所述布洛赫表面波增强层包括第一布洛赫表面波增强层、第二布洛赫表面波增强层和第三布洛赫表面波增强层。本发明布洛赫表面波增强层形成激子与布洛赫表面波强耦合的极化激元，通过局域电场诱导布洛赫表面波增强层形成极化转向和自旋极化率，调控布洛赫表面波增强层极化反转，屏蔽负极化电荷，降低量子限制Stark效应，提升激光元件的非线性响应和电激射增益。