一种双向可控硅芯片及其制备方法、半导体器件

本申请公开了一种双向可控硅芯片及其制备方法、半导体器件，制备方法包括：选用N型气掺材料片作为衬底，基于化学气相沉积法对衬底进行N型外延层生长处理，得到包括有N型外延层的衬底结构；对衬底结构进行多步扩散掺杂处理，形成相互隔离的多阱结构，其中，多阱结构包括P型阱、深P型阱和第一N型阱；对多阱结构中的深P型阱进行离子植入处理，得到掺杂优化结构；对掺杂优化结构上方进行绝缘层沉积处理后覆盖导电层，得到双向可控硅芯片。本申请显著提高了双向可控硅芯片的性能均匀性和可靠性，解决了现有技术中因气掺材料片电阻率均匀性差导致的断态重复峰值电压（VDRM）和门极触发电流（IGT）一致性不足的技术问题。