一种GaN基LED外延结构及其制备方法、LED芯片

本发明提供了一种GaN基LED外延结构及其制备方法、LED芯片，通过电子阻挡层减少电子泄露的同时，在外延结构中的多量子阱层与电子阻挡层之间，采用包含厚度较薄的AlN层的空穴注入层，不仅能降低空穴输运时的势垒屏障高度，还提供了空穴隧穿的有效路径，并增加了空穴注入时的能量,显着提高了空穴注入效率,增大注入到多量子阱层中的空穴浓度，进而增大LED的发光效率。