一种倒装型DBR-LED芯片的制备方法

本发明公开了一种倒装型DBR‑LED芯片的制备方法，涉及半导体技术领域，包括以下步骤：在蓝宝石衬底上依次生长N型GaN层、量子阱层和P型GaN层；沿P型GaN层表面沉积形成透明ITO电流扩展层；以第一光刻胶为掩膜，形成N型导电开口；以第二光刻胶为掩膜，形成隔离沟槽；整面沉积形成钝化反射结构；以第三光刻胶为掩膜，在钝化反射结构中刻蚀形成N型通孔和P型通孔；以第四光刻胶为掩膜，在钝化反射结构上蒸镀形成N型金属层和P型金属层，N型金属层连接N型GaN层，P型金属层连接透明ITO电流扩展层。本发明可以有效简化工艺过程，减少材料消耗，以及缩短工艺流水时间，从而能够显著降低芯片的制造成本。