一种用于焊接SiC功率器件的无压纳米银烧结方法

本发明提供一种用于焊接SiC功率器件的无压纳米银烧结方法，涉及半导体芯片技术领域。包括：对钼片基板和功率芯片清洁，钼片基板的厚度为1mm，功率芯片具有结势垒肖特基二极管结构；在清洁后的钼片基板上制备镀银层；搅拌纳米银焊膏；在镀银层上涂覆纳米银焊膏，涂覆的纳米银焊膏厚度为50μm；在涂覆的纳米银焊膏上贴装功率芯片；对贴装后的功率芯片依次进行烧结和冷却，烧结过程中采用两次保温操作，并采用甲酸混合气体和氮气混合气体作为烧结气氛，第一次保温操作的温度为140℃、时长为1h，第二次保温操作的温度为220℃、时长为2h。这样，使SiC功率半导体芯片中需要持续工作于250℃高温条件下时，能保证性能的可靠性。