用于中小电流负载点电源的HTCC一体化封装结构及加工方法

AITNT
正文
推荐专利
用于中小电流负载点电源的HTCC一体化封装结构及加工方法
申请号:CN202510852874
申请日期:2025-06-24
公开号:CN120749081A
公开日期:2025-10-03
类型:发明专利
摘要
本发明涉及一种用于中小电流负载点电源的HTCC一体化封装结构及加工方法。该封装结构包括:HTCC基板和设置在HTCC基板上方的盖板;盖板与HTCC基板围成密封腔体;密封腔体中安装有芯片铜框;HTCC基板的顶部设置有下沉凹槽;下沉凹槽用于安装感性元件。盖板包括封盖和沿封盖外周下方设置的环框;封盖的底部设置有下沉凸台;下沉凸台通过导热胶与安装在HTCC基板顶部的功率芯片相连。本发明通过盖板凸台一体化设计、高导热胶选型、功率铜框设计及感性元件沉底设计等多种热设计方法组合,形成有效散热方案,解决芯片倒装存在的中小电流电源电路的散热难题。
技术关键词
一体化封装结构 功率芯片 基板 密封腔体 凸台 电流 热设计方法 电源 封盖 元件 高导热胶 回流焊工艺 散热难题 凹槽 焊料 铝硅 板材
系统为您推荐了相关专利信息
1
封装结构
静电放电保护装置 封装结构 芯片模块 半导体衬底 中介层
2
一种Mip封装方法
分立器件 高温胶带 封装方法 封装模块 UV胶带
3
一种低温复合相变储热材料及其制备方法
复合相变储热材料 纳米氧化铝颗粒 甲基咪唑溴盐 乙酸乙酯 热电发电器件
4
半导体制造设备以及利用其的喷头涂布方法
基板支承单元 涂布方法 加热部件 喷头 半导体
5
一种化合物半导体器件封装结构
化合物半导体器件 封装框架 封装结构 电极 芯片
添加客服微信openai178,进AITNT官方交流群
驱动智慧未来:提供一站式AI转型解决方案
沪ICP备2023015588号