一种用于碳化硅MOSFET的在线老化状态监测方法及系统

AITNT
正文
推荐专利
一种用于碳化硅MOSFET的在线老化状态监测方法及系统
申请号:CN202510391853
申请日期:2025-03-31
公开号:CN119916171B
公开日期:2025-07-15
类型:发明专利
摘要
本发明公开了一种用于碳化硅MOSFET的在线老化状态监测方法及系统,属于半导体器件监测技术领域,其具体包括:实时采集碳化硅MOSFET的工作电压、工作电流和结温数据,通过数据处理单元分析处理数据,提取MOSFET老化状态特征参数;采用融合了多源数据和时间序列信息的动态老化状态评估模型对碳化硅MOSFET的老化状态进行评估,并将结果输出至显示单元;设置多级报警策略,依据老化状态触发不同级别的报警信号,同时,收集反馈数据以优化状态评估模型,实现了对碳化硅MOSFET老化状态的实时、精准监测,提升了电力电子系统的可靠性与稳定性。
技术关键词
动态老化 在线老化 状态监测方法 碳化硅 数据处理单元 循环神经网络模型 时间序列信息 状态监测系统 报警策略 数据分析模块 数据采集模块 电力电子系统 漏电流 结温 电压 电阻 半导体器件
系统为您推荐了相关专利信息
1
一种砖砌体施工质量的多视角检测方法及应用系统
砖砌体施工 砖块 矫正 边角缺陷 垂直度误差
2
混合能源电站优化方法及装置、设备、存储介质
储能模块 节点 能量管理模块 粒子群算法 矩阵
3
一种DPHY偏斜消除电路、片上系统及电子设备
数据处理单元 控制模块 矫正 图像 片上系统
4
一种大数据物流管理系统
物流管理系统 信息采集模块 巡逻机器人 订单管理 数据处理单元
5
碳化硅外延工艺配方生成方法、装置、设备及存储介质
碳化硅外延 偏最小二乘回归模型 生成方法 广义逆矩阵 回归算法
添加客服微信openai178,进AITNT官方交流群
驱动智慧未来:提供一站式AI转型解决方案
沪ICP备2023015588号