一种LED芯片及其制作方法

本申请公开了一种LED芯片及其制作方法，该LED芯片包括：第一基板，所述第一基板表面具有第一区域和包围所述第一区域的第二区域；位于所述第一基板的第一区域的外延单元和位于所述第一基板的第二区域的坝体结构，所述外延单元包括层叠的P型半导体层、量子阱有源层和N型半导体层，在第一方向上，所述坝体结构至少位于所述外延单元外侧部分区域，且所述坝体结构和所述外延单元之间具有间隙，所述第一方向平行于所述第一基板所在平面；位于所述第一基板远离所述外延单元一侧的P电极。该LED芯片及其制作方法可以缓解所述LED芯片制作过程中产生的崩边、崩角等问题，减小外观异常的情况。