一种忆容器、制备方法和神经网络并行计算芯片及其应用方法

本发明公开了一种忆容器、制备方法和神经网络并行计算芯片及其应用方法，该忆容器包括：自上而下依次设置的顶栅电极、顶介电层、屏蔽层和读出电极；其中：所述顶栅电极，完全覆盖于所述顶介电层的上表面；所述顶栅电极的顶面具有与外部输入电路连接的输入端；所述顶介电层，覆盖于所述屏蔽层上表面的部分区域；所述屏蔽层，位于所述顶介电层和读出电极之间，且下表面完全覆盖于所述读出电极的上表面；所述读出电极的下表面具有与外部输出电路电连接的输出端。本发明涉及半导体技术领域；通过在电极之间引入屏蔽层，利用电荷屏蔽效应实现高动态范围的电容变化，从而在保持高精度的同时显著降低功耗。