一种用于甲烷探测的芯片制备方法、甲烷探测器

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一种用于甲烷探测的芯片制备方法、甲烷探测器
申请号:CN202510412377
申请日期:2025-04-03
公开号:CN120253666A
公开日期:2025-07-04
类型:发明专利
摘要
本发明涉及一种用于甲烷探测的芯片制备方法、甲烷探测器,其中,芯片制备方法包括:在衬底表面生长外延结构,得到外延片;在外延片上制作光栅掩膜,并在光栅掩膜腐蚀出光栅结构;对光栅结构进行光栅掩埋和欧姆接触层生长,得到光栅片;在光栅片上沉积掩膜,经处理后再腐蚀至腐蚀截止层,去除掩膜,得到脊型波导的晶圆;在晶圆的表面沉积第一钝化层,在第一钝化层上制作加热模块,去除脊型波导顶端的第一钝化层以露出欧姆接触层,在欧姆接触层上蒸镀金属电极,并形成激光器焊盘,最后对外延片进行处理以形成芯片。本发明的另一种方法还能只集成加热器。本发明能够提高加热效率和降低功耗。
技术关键词
欧姆接触层 加热模块 热敏电阻 甲烷探测器 芯片 生长外延结构 光栅结构 外延片 加热器 匀胶 沉积掩膜 制作光栅 波导 激光器 金属电极 焊盘 电子束蒸发镀膜
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