一种集成电路的平面凸点式封装工艺

本发明提供了一种集成电路的平面凸点式封装工艺，包含：输入芯片功耗及频率等约束条件，生成梯度凸点拓扑，通过多物理场仿真模型验证；将梯度凸点拓扑优化后的凸点参数映射至光刻掩膜版设计，生成坐标文件；导入梯度凸点拓扑优化后的凸点参数，构建薄晶圆的有限元模型，预测植球压力下的翘曲趋势，生成补偿系数库；实时扫描薄晶圆表面，比对实际形变与孪生预测数据，动态调整机械臂路径，得到薄晶圆的实际位置和对位信息；通过多物理场仿真模型和对位信息实时计算电流密度与热流密度分布，依据实测参数反向优化凸点高度与间距。本发明保证集成电路封装的高性能和可靠性，可以最大程度地优化封装结构，提高产品的质量和寿命。