一种晶圆级芯片切分方法

本申请实施例提供一种晶圆级芯片切分方法，涉及硅光晶圆级芯片技术领域。晶圆级芯片方法包括：提供晶圆(101)；在晶圆(101)的图形面涂光刻胶(103)，通过曝光显影的方式，将用于芯片分离的切割道(102)暴露出来，同时光刻胶(103)将其他区域的图层保护起来；使用干法或湿法蚀刻，刻蚀切割道(102)至设定深度，设定深度小于最终芯片厚度；在晶圆(101)的背面覆盖扩张性膜(105)，对晶圆(101)进行激光隐形切割，得到多个单颗芯片。切割不易出现崩边、破裂等损伤，形成的侧面形貌平整，最终得到较高的良品率。