一种大容量NAND闪存寿命预测方法及系统

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一种大容量NAND闪存寿命预测方法及系统
申请号:CN202510421333
申请日期:2025-04-03
公开号:CN120279970A
公开日期:2025-07-08
类型:发明专利
摘要
一种大容量NAND闪存寿命预测方法及系统。该方法包括以下步骤:(1)计算存储系统当前读操作的频率,根据预设标准判断数据是否为热数据;(2)将热数据标记为待预测数据,记录其误码率,拟合出误码率随P/E循环次数pe和读操作次数rd变化的趋势,确定该P/E循环次数下的最大读操作次数;(3)根据预测的最大磨损次数和读操作次数阈值,并与当前数据的实际磨损情况对比,当接近或达到预设的安全极限时,向用户发出预警信号。该系统包括数据状态判断模块、误码预测模块以及寿命预警模块。本发明能够在短时间内以低于15%的误差率完成对3D NAND Flash剩余寿命的高精度预测,提高了预测速度。
技术关键词
NAND闪存 寿命预测方法 误码率 循环次数条件 寿命预测系统 多元线性回归方法 预警模块 存储系统 实时数据 直线 频率 标记 短时间 信号 芯片 参数 速度
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