碳化硅高压MOSFET的内部电场分布优化方法及系统

本发明公开了碳化硅高压MOSFET的内部电场分布优化方法及系统，涉及半导体技术领域，该方法包括：建立碳化硅高压MOSFET的三维模型，获取MOSFET器件模型；构建掺杂优化模块；进行电场分布和热场分布仿真，获取漂移区的电场集中区域和热场集中区域；引入梯度掺杂，输出第一掺杂优化分布；引入梯度掺杂，输出第二掺杂优化分布；在所述漂移区进行协同优化。本发明解决了现有技术中碳化硅高压MOSFET技术中漂移区电场和热场分布欠佳，致使器件性能、稳定性与可靠性不足的技术问题，达到了实现对碳化硅高压MOSFET漂移区电场和热场分布的优化，提升器件性能、稳定性与可靠性的技术效果。