一种集成电路3D封装结构及其封装方法

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一种集成电路3D封装结构及其封装方法
申请号:CN202510429296
申请日期:2025-04-08
公开号:CN119940278B
公开日期:2025-06-17
类型:发明专利
摘要
本发明公开了一种集成电路3D封装结构及其封装方法,涉及半导体封装技术领域,该封装方法包括以下步骤:获取集成电路的层次数量;根据所述集成电路的层次数量,对模块的布局位置进行划分,得到集成电路的布局模型;根据所述集成电路的布局模型,计算芯片层的硅通孔数量;通过硅通孔将模块与模块进行连接,得到集成电路的三维模型;对所述集成电路的三维模型进行评估,确定集成电路的封装结构。本发明通过划分模块在芯片层以及芯片层内部的位置,根据布局模型计算硅通孔的数量,对连接硅通孔得到的三维模型进行走线、硅通孔和温度评估,确定集成电路三维封装结构,在模块内部设置硅通孔的同时减少走线和温度消耗,提高了三维封装集成电路的性能。
技术关键词
集成电路 封装方法 芯片 三维模型 布局 通孔 热阻 模块 计算机程序代码 三维封装结构 半导体封装技术 温差 电子设备 可读存储介质 处理器 指令 关系
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