基于侧壁一致堆叠结构的氧化铪基电阻式随机存取存储器

本发明公开基于侧壁一致堆叠结构的氧化铪基电阻式随机存取存储器，属于半导体存储器技术领域；基于侧壁一致堆叠结构的氧化铪基电阻式随机存取存储器由上至下依次包括：顶电极层、电阻层HfO2、电阻层HfOx以及底电极层；其中，各层之间通过相同斜率的锥面堆叠，且锥面位于各层的中心位置。将传统的平面结构改为锥面堆叠，显著提升接触面积，从而限制导电丝生长区域的能量扩散，降低形成电压；并且，能够通过调整锥面的斜率，来抵消器件微型化的形成电压升高效应。