一种基于氧化物厚度优化的阻变存储器器件

本发明公开一种基于氧化物厚度优化的阻变存储器器件，属于半导体存储器技术领域；一种基于氧化物厚度优化的阻变存储器器件，由上至下依次包括：顶部电极、HfO2层、TiO2层以及底部电极；顶部电极和底部电极均采用Pt，HfO2层、TiO2层的厚度比为7：3；通过将RRAM器件阻变层中厚度比设置为HfO2:TiO2＝7:3，使得该RRAM器件具有较高的稳定性，较低的功耗。