快恢复二极管的制作方法、快恢复二极管及电子设备

本申请提供一种快恢复二极管的制作方法、快恢复二极管及电子设备，涉及半导体芯片技术领域。快恢复二极管的制作方法包括：提供一器件结构，器件结构包括衬底、位于衬底一侧的氧化层及位于氧化层远离衬底一侧的第一金属层；在第一金属层远离衬底的一侧形成保护层；对衬底远离第一金属层的一侧依次进行减薄处理和腐蚀处理；去除保护层；在衬底远离第一金属层的一侧进行金属蒸镀，形成第二金属层，如此，可以在减薄过程中减少快恢复二极管与减薄设备之间的摩擦，从而减少静电的产生，避免测试过程中出现打火现象，进而提高生产效率。