一种HDVIP红外探测器芯片组件及刻蚀过程的监控方法

本发明公开了一种HDVIP红外探测器芯片组件及刻蚀过程的监控方法，涉及探测器领域，该方法具体包括如下步骤：S1读出电路的设计；S2贴片，将读出电路与碲镉汞芯片使用填充胶层贴合并固化；S3单点减薄，利用单点金刚石设备对碲镉汞芯片上的外延碲镉汞膜层进行减薄处理，使得碲镉汞膜层减薄至40μm。本发明提供的一种HDVIP红外探测器芯片组件及刻蚀过程的监控方法，利用激光对不同物质的反射信号不同，从而对终点检测系统进行光监控，进而实现对蚀刻的时间进行监控，提高了探测器环孔蚀刻的良品率，降低了成本。