高电子迁移率晶体管芯片及其制备方法

本公开公开了一种高电子迁移率晶体管芯片及其制备方法，属于半导体技术领域。高电子迁移率晶体管芯片包括衬底，以及依次叠设在衬底一面的沟道层、再生长层、势垒层和盖帽层；再生长层包括沿外延生长方向叠设的AlGaN界面层和AlGaN主体层，AlGaN界面层的Al组分为10％～15％，AlGaN主体层的Al组分为20％～30％。本公开实施例能够有效的解决晶格失配的问题。