LDMOS器件及其制作方法

本申请公开了一种LDMOS器件及其制作方法，该器件包括：SOI衬底，其包括硅衬底和形成于硅衬底中的绝缘层，绝缘层将硅衬底隔离为位于上方的顶层衬底和位于下方的底层衬底；栅介质层，栅介质层形成于顶层衬底上；栅极，栅极形成于栅介质层上；其中，顶层衬底中形成有阱区和漂移区，漂移区中形成有第一重掺杂区，阱区中形成有第二重掺杂区，在横向上，第二重掺杂区和栅极之间的阱区中形成有LDD区，LDD区与第二重掺杂区接触；当LDMOS器件工作时，第一重掺杂区为漏极，LDD区为源极，第二重掺杂区为体电极。本申请实施例提供的LDMOS器件能够改善浮体效应，提高SOI芯片设计的灵活性。