碳化硅MOS驱动控制芯片的温度补偿方法及装置

本申请提供了一种碳化硅MOS驱动控制芯片的温度补偿方法及装置，该方法包括：获取碳化硅MOS的结温‑电气参数集，对结温‑电气参数映射数据集进行热电耦合仿真建模处理，得到三维温度‑效率特性数据；对三维温度‑效率特性数据进行实时参数解析和动态执行，得到优化后的开关特性波形；提取所述优化后的开关特性波形频域特征，生成动态频率调制参数；对动态频率调制参数进行死区时间迭代优化，得到碳化硅MOS的控制参数组合。