一种子孔径抛光的抛光轨迹规划方法

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一种子孔径抛光的抛光轨迹规划方法
申请号:CN202510446398
申请日期:2025-04-10
公开号:CN120386280A
公开日期:2025-07-29
类型:发明专利
摘要
本发明涉及抛光轨迹规划技术领域,尤其是指一种子孔径抛光的抛光轨迹规划方法,包括:基于抛光载荷、抛光工具转速、进给速度、抛光姿态角度以及抛光工具和工件材料属性构建抛光材料去除函数;根据抛光材料去除函数对初始抛光轨迹逐条优化;求解驻留时间。本发明实现了抛光过程中材料去除量在时‑空间双域内分布的可控性,提高了曲面抛光的质量和稳定性。
技术关键词
抛光工具 轨迹规划方法 泊松比 控制点 坐标 回归方法 轨迹规划技术 载荷 刀具 正则化方法 曲面抛光 方程 速度 极值 正则化参数 工件 长轴 回归算法
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