一种高温栅偏工况下GaN HEMT器件电离总剂量效应的仿真方法

本申请提供了一种高温栅偏工况下GaN HEMT器件电离总剂量效应的仿真方法，具体包括构建GaN HEMT器件的二维模型，并对该二维模型进行网格划分；构建并校准GaN HEMT器件的电学仿真模型；仿真高温栅偏可靠性试验；仿真高温栅偏工况下GaN HEMT器件的电离总剂量效应获得高温栅偏和电离总剂量效应耦合后的仿真结果，并通过仿真结果判断GaN HEMT器件的性能状态。