一种双面覆金属芯片电性端口处理工艺

本发明公开了一种双面覆金属芯片电性端口处理工艺，该工艺包括以下步骤：芯片包封：芯片电性端口面金属层A远离基板贴装后，使用包封料完全包封芯片形成封装体；形成凹槽：在包封顶面垂直切割，金属层A分离为输出端和输入端，芯片主体部分暴露在凹槽内；水平研磨：研磨包封顶面至暴露输出端和输入端，所述芯片包封步骤中，芯片的电性端口面相对的背面亦覆有金属层B，芯片电性端口面设有电性接口，所述芯片包封步骤中，芯片通过金属层B贴装在基板上，基板上贴装一个或多个均匀排列的芯片，本发明将芯片完全包封后切割，金属层A分隔为输出端和输入端，切割拉丝附着在凹槽内侧壁的包封料上延伸，有效避免短路。