半导体装置

本公开的目的在于提供能够兼顾提高绝缘膜的可靠性和抑制芯片翘曲的半导体装置。本公开的半导体装置具备：发射极电极；栅电极；漂移层；源极层；基极层；集电极；以及虚设有源沟槽，其在半导体基板的沟槽的内部处，在上层具有与栅电极或发射极电极连接、或者为浮动电位的上层电极，并且在下层具有与栅电极或发射极电极连接、或者为浮动电位的下层电极，虚设有源沟槽具有：形成于上层电极的侧面的上层绝缘膜、形成于下层电极的侧面的下层绝缘膜、以及形成于上层电极与下层电极之间的边界绝缘膜，上层绝缘膜的左右方向的膜厚比下层绝缘膜的左右方向的膜厚厚，在剖视时上层电极的面积小于下层电极的面积。