一种晶体管及其制备方法、芯片

本申请涉及半导体制造技术领域，并提供一种晶体管及其制备方法、芯片。制备方法包括：提供硅衬底；沉积第一多层结构；第一多层结构包括依次沉积的第一氧化硅层、金属层和第二氧化硅层；刻蚀多个长孔；采用金属氧化物前驱体为原料，对长孔进行原子层沉积处理，以在长孔中对应的金属层表面形成环形的栅极氧化物层；在长孔中沉积第二多层结构；第二多层结构包括依次沉积的第一n型锗化硅层、p型锗化硅层和第二n型锗化硅层；沉积电极，以得到晶体管。该制备方法，能够实现TFET和CMOS兼容，不受光刻工艺中诸如光刻胶质量、曝光精度等不稳定因素的影响，有效减小沟道长度，可以降低晶体管使用过程中的干扰并提升使用可靠性，提升整体性能。