一种沟槽型半导体桥芯片及其制备方法

一种沟槽型半导体桥芯片及其制备方法，属于火工品技术领域。包括N型硅衬底、二氧化硅层、正面图形多晶硅层、正面图形金属电极层。二氧化硅层的厚度为2000埃~20000埃，正面图形多晶硅层的厚度为10000埃~50000埃，正面图形金属电极层的厚度为10000埃~50000埃。在桥区的两侧边制作尖角形边缘缺口，在桥区两侧边除尖角形边缘缺口外的区域制作成蜂窝沟槽结构，通电后尖角形边缘缺口处及蜂窝沟槽结构的电流密度大大提高，快速形成焦耳热，快速形成等离子体放电。解决了半导体桥火工品发火时间及发火能量很难进一步降低，难以提升半导体桥火工品系统精确性、迅速性的问题。广泛于SCB火工品半导体桥芯片技术领域。