降低漏电风险的高压发光二极管制备方法

本发明涉及发光二极管芯片制备技术领域，具体涉及降低漏电风险的高压发光二极管及其制备方法。其方法包括在衬底上依次生长N型GaN层、发光量子阱及P型GaN层；制作N区台阶、绝缘刻蚀道及绝缘保护孔；刻蚀成形电流阻挡层和电流扩展层，提高了可靠性，减少金线焊接，减少安全保护二极管的添加并实现了高效的电流分布。