集成SBD的沟槽型器件及其制备方法

本发明提供了一种集成SBD的沟槽型器件及其制备方法，涉及半导体技术领域，该集成SBD的沟槽型器件包括衬底、第一沟槽栅结构、第二沟槽栅结构、第一发射电极、第二发射电极和背电极，第一发射电极的侧壁与衬底之间形成第一肖特基二极管，第二发射电极的侧壁与衬底之间形成第二肖特基二极管。与现有技术中相比，本申请将肖特基二极管集成到MOSFET器件中，具有高集成度、降低面积和成本的优点，可以进一步提高器件的整体性能，无需引入外部并联二极管，能够用一颗芯片替代常规技术中的四颗芯片，节约成本的同时还能进一步优化反向恢复过程，减少反向恢复损耗，进一步提高系统的效率。