快恢复二极管芯片及其制备方法

本发明属于二极管芯片技术领域，具体涉及一种快恢复二极管芯片及其制备方法。本发明的快恢复二极管芯片的制备方法通过在P区下方加入第一块轴向寿命控制区域，用于降低P区向I区注入的非平衡载流子浓度，达到降低Irrm以及ta的目的。此外，通过在背面N区上方加入第二块轴向寿命控制区域，注入区域中心选择为N区与I区的交界处，此处进行质子辐照加工的效果最佳，对器件反向恢复时间的影响最大，并且通过该工艺仅需调整此处的H+注入剂量，即可控制二极管反向恢复时间的大小，实现tb可调，器件特性自定义程度高。