一种碲镉汞芯片及其切割方法

本申请属于半导体技术领域领域，公开了一种碲镉汞芯片及其切割方法，通过将碲镉汞芯片固定在划片台上，再使用划片刀进行一次切割，得到一次切割芯片；再将一次切割芯片使用划片刀进行二次切割，得到切割好的碲镉汞芯片；其中，其中碲镉汞芯片厚度为1mm，一次切割深度为0.50～0.65mm，二次切割深度为0.50～0.35mm；此外，本申请还公开了一种碲镉汞芯片，通过上述切割方法得到。